1、低成本设计
资源精简：64KB FLASH ；4KB SRAM
封装精简：TSSOP20
工艺升级：90nm eflash
2、M0+内核和宽电压
内核：Cortex-M0+，主频48MHz
低功耗模式(SleepDeepSleep)
工作电压：1.62V ~5.5V
3、功能丰富
支持最多17路I/O接口，所有I/O口具备中断、唤醒功能，支持迟滞及上拉输入、推挽及开漏输出 
12位ADC，最高 2M SPS 转换速度，各序列通道采样时间可单独配置 
双路电压比较器
实时时钟和日历，支持由 Sleep/DeepSleep 模式唤醒
4、高精度内部时钟
内置48MHz RC振荡器，全温度范围精度±2%
内置32KHz RC振荡器，全温度范围精度±3%
5、安全性强
安全运行库保护功能
Flash擦写保护、读保护
CRC 硬件计算单元

数显表、导轨表等低功耗终端产品